特許
J-GLOBAL ID:200903021354404519

力変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-319362
公開番号(公開出願番号):特開平9-162419
出願日: 1995年12月07日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【課題】 製造工程において生じた切粉に起因する不具合を防止できる力変換素子を提供する。【解決手段】 N型の単結晶シリコンからなる基体12の上面に、入出力電極部13〜16、ゲージ部17〜20を凸設する。隣接する入出力電極部13〜16をゲージ部17〜20により接続する。ゲージ部17〜20の外周部分を囲うように基体12の上面に保護部21〜24を凸設する。ゲージ部17〜20及び保護部21〜24の上面にガラスブロック29を接合する。ゲージ部17〜20と保護部21〜24との間に、基体12、ゲージ部17〜20、保護部21〜24、及びガラスブロック29によって囲まれた管状空間S1 〜S4 を形成する。基体12の上面に凸設された閉塞部25〜28によって、保護部21〜24とゲージ部17〜20とを接続し、管状空間S1 〜S4 の一部を閉塞する。
請求項(抜粋):
半導体材料からなる基体と、前記基体の表面において環状をなすように凸設されたゲージ部と、前記基体の表面において凸設され、前記ゲージ部の外周に沿って配置されたゲージ保護部と、前記ゲージ部、及びゲージ保護部の上面にて接合され、ゲージ部に対して圧縮力を伝達する力伝達部材とを備え、基体、ゲージ部、ゲージ保護部、及び力伝達部材によって囲まれた管状空間を有する力変換素子において、前記管状空間を、少なくとも一部が閉塞された構造としたことを特徴とする力変換素子。
IPC (2件):
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101
FI (2件):
H01L 29/84 A ,  G01L 9/04 101

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