特許

J-GLOBAL ID：200903021355147528

配向性強誘電体薄膜素子

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196018
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 単結晶Si(100) 基板上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成することを目的とし、本発明により不揮発性メモリーやキャパシター、または光スイッチなどの素子をSi半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、単結晶Si(100) 基板上にエピタキシャルMgOバッファ層が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜が形成された構造を有する。単結晶Si(100) 基板とエピタキシャルMgOバッファ層の結晶学的関係はMgO(100)//Si(100) 、面内方位MgO[100] //Si[100] であり、また、エピタキシャルMgOバッファ層とペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜の結晶学的関係は、ABO3 (001)//MgO(100) またはABO3 (100) //MgO(100) 、面内方位ABO3 [010]//MgO[001] またはABO3 [001] //MgO[001] である。

請求項（抜粋）：

単結晶Si(100)基板上にエピタキシャルMgOバッファ層が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (2件)：

H01B 3/00 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-185808
  
• 特開昭61-185809