特許

J-GLOBAL ID：200903021357555739

Cu配線およびその形成方法

発明者： 古谷 晃 ,  大下 祥雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099963
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310512
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 下地膜との良好な密着性を持つCu配線およびその形成方法を提供する。【構成】 ArガスとN2 ガスを同時に供給し、SiO2 膜20上に反応性スパッタ法によりCux N1-x 膜30を1〜10nm堆積する。次にN2 ガスの供給を停止し、Arガスのみを供給し、Cux N1-x 膜30上にCu膜40をスパッタ法により50〜200nm堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下地膜上と、この下地膜上に設けられたCux N1-x 膜と、このCux N1-x 膜上に形成されたCu膜とを、有することを特徴とするCu配線。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-055844
  
• 特開昭63-012138
  
• 特開平2-301907