特許
J-GLOBAL ID:200903021372435758

ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 南 孝夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-105186
公開番号(公開出願番号):特開平5-259066
出願日: 1992年03月13日
公開日(公表日): 1993年10月08日
要約:
【要約】【構成】 芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と有機アミンを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液ならびに該剥離液によりドライエッチングの際に形成させたポジ型フォトレジストの側壁保護堆積膜を導電層上より剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。【効果】 このポジ型フォトレジスト用の剥離液は、ドライエッチングの際に形成させたポジ型フォトレジストの側壁保護堆積膜に対する剥離性に優れ、アフターコロージョン防止性と配線材料に対する非腐食性とを兼ね備え、作業の簡便性においても優れている。
請求項(抜粋):
芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と有機アミンとを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3205
FI (3件):
H01L 21/30 361 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D

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