特許

J-GLOBAL ID：200903021373255923

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 佐伯 俊一 ,  田中 利広 ,  久米 均 ,  宮本 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068686
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、電気的消去が可能な半導体不揮発性記憶装置において、消去モード時間の短縮を図ることである。【構成】消去モード時間の短縮は、繰り返し行なわれる消去のパルス幅を一定としないことによって実現される。この繰り返し行なわれる消去のパルス幅を一定としない方法は、例えば繰り返し行なわれる消去のうち少なくとも1回以上はメモリセルのしきい値電圧が負にならない程度の長い消去のパルス幅で消去を行なう方法である。また、消去のパルス幅を消去の回数が増えるにしたがって長くする方法である。

請求項（抜粋）：

複数回の消去で電気的消去が可能な半導体不揮発性記憶素子を消去する半導体不揮発性記憶装置において、上記複数回の消去のうち少なくとも一回の消去のパルス幅は他の消去のパルス幅より長いことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211743   出願人：富士通株式会社