半導体装置の製造方法および多層配線方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148489
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路において多層配線構造の下層配線をなすアルミニウム薄膜の形成工程を改良することにより、上層配線と半導体基板との短絡不良を生じにくくする。【構成】ウエハに対してスパッタリング法でアルミニウム薄膜を形成する際に、スパッタリング中のウエハ温度を25°C程度の低温に保持する。これにより、得られる薄膜は小さなアルミニウム結晶粒で構成されるため、このようにして得られたアルミニウム薄膜は有機洗浄に対する耐性が高くなる。そのため、多層配線構造の下層アルミニウム配線の形成工程において、配線パターニングのためのエッチング時に従来発生していた腐食穴が激減する。

請求項（抜粋）：

ウエハに対してスパッタリング法でアルミニウム薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記薄膜形成工程では、前記ウエハを所定の冷却温度に保持しながら当該ウエハに対してアルミニウムをスパッタリングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 N

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