特許

J-GLOBAL ID：200903021376514571

MRAM用の読出/書込構造

発明者： ロエズネー,ボルファンク ,  シュヴァルツェル,ジークフリート
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-594120
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535798
出願日： 2000年01月03日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】本発明は、MRAM用の読出/書込構造に関する。本発明の読出/書込構造は、読み出しプロセスにおいて抵抗ブリッジを用いることにより、公知の磁化状態を有する上記抵抗ブリッジ内のメモリセルは、測定すべきメモリセルと比較される。

請求項（抜粋）：

マトリクスの行および列を形成している、ワード線(WL)とビット線(BL)との交点に設けられ、それぞれ分離層(4)により分離される少なくとも2つの強磁性層(2、3)から成り、層の順番に垂直である抵抗の抵抗値はワード線(WL)またはビット線(BL)の抵抗値よりもそれぞれ大きく、強磁性層(2、3)の磁化状態により左右される多数の強磁性メモリ素子(1)を備えている、ワード線およびビット線を通じてアドレス指定が可能であるMRAM用の読出/書込構造において、 上記強磁性メモリ素子は、ワード線の1本とビット線の1本との間にそれぞれ接続されており、 公知の磁化状態を有する少なくとも1つの基準メモリ素子を備える一方、 基準メモリ素子に対する各メモリ素子(1)の抵抗比を、抵抗ブリッジを用いて決定することが可能であることを特徴とする読出/書込構造。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11