特許

J-GLOBAL ID：200903021380679160

磁気抵抗効果再生ヘッド

発明者： 斎藤 郁夫 ,  石川 千明 ,  藤本 勝久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011245
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203032
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】オフトラック特性の対称性良い磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。【構成】媒体からの漏洩磁界を検出する中央部感磁領域およびその磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイズの発生を制御するための端部磁区制御領域からなる磁気抵抗層,横方向バイアス印加用シャント膜,SAL膜,縦方向バイアス印加用硬磁性体層,電極層から構成される磁気抵抗効果再生ヘッドにおいて、楕円形をした中央部感磁領域,横方向バイアス印加用シャント膜,SAL膜を有する。【効果】バイアス磁界および感磁部自身の磁化によって生じる反磁界の影響を一様化することにより、オフトラック特性の対称性が良好となる。

請求項（抜粋）：

中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有する磁気抵抗層,この両側に接続された電極,磁気抵抗層に横方向バイアスを発生するためのパターン,磁気抵抗層を磁気シールドするために両側に設けた軟磁性膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果再生ヘッドにおいて、中央感磁部または横方向バイアス膜あるいはその両方の形状を、回転楕円体または厚さ一様の楕円形もしくは楕円形を近似する多角形に形成することを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。