特許
J-GLOBAL ID：200903021386008330
セラミックパターン形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300381
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 セラミック材料によるパターン形成性が良好なセラミックパターン形成法を提供すること。【構成】 ベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、N-フェニルグリシン(C)、4,4’-ジアルキルアミノベンゾフェノン(D)、pKaが2〜4の有機カルボン酸(E)、ベンゾトリアゾール誘導体(F)及びトリアジン誘導体(G)を含んでなり、(C)ないし(G)の含有量が、(A)と(B)の合計量100重量部に対して、(C)が0.01〜5重量部、(D)が0.001〜0.1重量部、(E)が0.05〜5重量部、(F)が0.03〜1.0重量部、(G)が0.01〜1.0重量部である感光性樹脂組成物からなるフォトレジスト層を基板上に形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパターン露光及び現像を行うことにより前記基板上に所要のパターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消失せしめる。
請求項（抜粋）：
ベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、N-フェニルグリシン(C)、4,4’-ジアルキルアミノベンゾフェノン(D)、pKaが2〜4の有機カルボン酸(E)、ベンゾトリアゾール誘導体(F)及びトリアジン誘導体(G)を含んでなり、(C)ないし(G)の含有量が、(A)と(B)の合計量100重量部に対して、(C)が0.01〜5重量部、(D)が0.001〜0.1重量部、(E)が0.05〜5重量部、(F)が0.03〜1.0重量部、(G)が0.01〜1.0重量部である感光性樹脂組成物からなるフォトレジスト層を基板上に形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパターン露光及び現像を行うことにより前記基板上に所要のパターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消失せしめることによりセラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とするセラミックパターン形成法。
IPC (3件)：
C04B 41/87
, G03B 27/32
, H01B 5/14
