特許
J-GLOBAL ID：200903021388882584
集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-179433
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月20日
要約：
【要約】【目的】 高品質の半導体バリア層を有する大規模集積回路を得ることを目的とする。【構成】 配線膜60の下地に用いられるバリア層65に酸化窒化チタン薄膜を用いた。
請求項（抜粋）：
配線膜の下地に用いられるバリア層に酸化窒化チタン(TiON)薄膜を用いたことを特徴とする集積回路。
IPC (4件)：
C23C 14/32
, C23C 14/06
, C23C 14/54
, H01L 21/3205
