特許
J-GLOBAL ID：200903021394890823
電子線励起固相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271995
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116787
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 電子線励起固相成長方法に関し、低温で、且つ、所望の領域の非晶質薄膜を再現性良く単結晶化する。【解決手段】 基板1上に非晶質薄膜2を堆積したのち、非晶質薄膜2に電子線3を照射して非晶質薄膜2に空孔・格子間原子型欠陥を誘起し、非晶質薄膜2を結晶化する。
請求項（抜粋）：
基板上に非晶質薄膜を堆積したのち、前記非晶質薄膜に電子線を照射して前記非晶質薄膜に空孔・格子間原子型欠陥を誘起し、前記非晶質薄膜を結晶化することを特徴とする電子線励起固相成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/263
, H01L 29/06
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/263 F
, H01L 29/06
, H01L 29/78 627 G
