特許

J-GLOBAL ID：200903021395788240

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 杢 哲次
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114597
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 青色発光ダイオードの低コスト化及び特性向上が困難であった。【解決手段】 サファイアから成る絶縁性基板11の上に窒化チタン膜12を設ける。窒化チタン膜12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域14、窒化ガリウムインジウムから成る活性層15、窒化ガリウムから成るp形半導体領域16を順次に形成する。p形半導体領域16のアノード電極18を設ける。窒化チタン膜12の上にn形半導体領域14を部分的に設けるためにアモルファス膜20を設ける。エピタキシャル成長層の形成後にアモルファス膜20を除去して窒化チタン膜をカソード電極とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方の主面に形成された窒化チタン膜と、前記窒化チタン膜の主面の一部に接触するように形成された窒化ガリウム又は窒化ガリウム系半導体から成る第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上に形成された窒化ガリウム又は窒化ガリウム系半導体から成る第2の導電形の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の表面の一部に形成された第1の電極とを有し、前記窒化チタン膜の前記第1の半導体領域で覆われていない部分を第2の電極又は第2の電極形成領域として使用するように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (8件)：

5F041AA11 ,  5F041CA25 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA98