特許

J-GLOBAL ID：200903021396342661

半導体基板の製造方法及びその使用

発明者： リューディガー シュモルケ ,  ラインハルト シャウアー ,  ギュンター オーバーマイアー ,  ディーター グレーフ ,  ペーター シュトルク ,  クラウス メスマン ,  ヴォルフガング ジーベルト
出願人/特許権者： ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154250
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050579
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル成長させた表面の粗さ及び光散乱中心の数に関する欠点を示さず、かつ酸素析出物として検出可能な欠陥を有する基板を使用するためにも適している、エピタキシャル成長させた半導体基板を製造する方法を提供すること【解決手段】 (a) ポリシングされた前面を有し、かつ一定の厚さを有する基板を準備する工程、(b) 基板の前面をガス状HCl及びシランソースの存在で950〜1250°Cの温度でエピタキシャル反応器中で前処理する工程、その際、基板の厚さがほとんど変化しない、及び(c) 前処理された基板の前面にエピタキシャル層を析出させる工程、を有することを特徴とする、前面及び背面並びに前記の前面上に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を備えた半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

前面及び背面並びに前記の前面上に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を備えた半導体基板の製造方法において、前記の方法が次のプロセス工程:(a) ポリシングされた前面を有し、かつ一定の厚さを有する基板を準備する工程、(b) 基板の前面をガス状HCl及びシランソースの存在で950〜1250°Cの温度でエピタキシャル反応器中で前処理する工程、その際、基板の厚さがほとんど変化しない、及び(c) 前処理された基板の前面にエピタキシャル層を析出させる工程、を有することを特徴とする、半導体基板の製造方法。

Fターム (10件)：

5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 改良された結晶特性を有するエピタキシャル半導体材料の成長方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-511249   出願人：エスイーエイチ・アメリカ,インコーポレイテッド