特許
J-GLOBAL ID：200903021399308553
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032296
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220116
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 縮小投影型露光装置の露光エリアより大きいチップサイズの半導体装置を画面合成法を用いて製造した場合でも、画面合成の繋ぎ目の影響を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体基板上に形成された周期的構造をなす領域である受光部とそれ以外の領域である周辺回路部とを有する半導体装置を製造する製造方法であって、該受光部全体のパターンデータ35aを備えた第1のフォトマスクにより該半導体基板を露光する工程と、該周辺回路部の少なくとも一部に相当するパターンデータ37a,39aを備えた第2のフォトマスクにより該半導体基板を露光する工程と、を具備することを特徴とする。従って、画面合成の繋ぎ目の影響を抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された周期的構造をなす領域とそれ以外の領域とを有する半導体装置であって;該周期的構造をなす領域全体が第1のフォトマスクの露光により形成され、該周期的構造をなす領域以外の領域が第2のフォトマスクの露光により形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146
, H01L 21/027
H01L 27/14 A
, H01L 21/30 514 C
