特許

J-GLOBAL ID：200903021399707024

半導体絶縁用樹脂及びこれを用いた半導体装置

発明者： 田中 俊明 ,  安田 雅昭 ,  森下 芳伊 ,  西澤 廣 ,  矢野 康洋 ,  金田 愛三
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071024
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257294
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 樹脂層を有した半導体装置の熱応力に起因する金属配線またははんだ接続部の断線を防止し、接続信頼性の高い樹脂層に用いる半導体絶縁用樹脂及びその樹脂を樹脂層に用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 配線層が形成された半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の一部に前記配線層に到達する貫通孔を設ける工程と、更に前記樹脂層上に外部接続端子と前記配線層が電気的に導通した第2の配線層を形成する工程を有する半導体装置において、前記樹脂層の25°Cにおける弾性率が0.2〜3.0GPaであり、かつ前記樹脂層の150°Cにおける弾性率が-65°Cにおける弾性率の10〜100%の大きさであり、かつ前記樹脂層のガラス転移温度が180°C以上である半導体絶縁用樹脂とする。この樹脂で形成された樹脂層を備える半導体装置。

請求項（抜粋）：

配線層が形成された半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の一部に前記配線層に到達する貫通孔を設ける工程と、更に前記樹脂層上に外部接続端子と前記配線層が電気的に導通した第2の配線層を形成する工程を有する半導体装置において、前記樹脂層の25°Cにおける弾性率が0.2〜3.0GPaであり、かつ前記樹脂層の150°Cにおける弾性率が-65°Cにおける弾性率の10〜100%の大きさであり、かつ前記樹脂層のガラス転移温度が180°C以上であることを特徴とする半導体絶縁用樹脂。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 23/30 R

Fターム (11件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA04 ,  4M109CA10 ,  4M109CA22 ,  4M109EC04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA04 ,  5F061CA10 ,  5F061CA22