特許
J-GLOBAL ID：200903021407523701
半導体単結晶製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371524
公開番号（公開出願番号）：特開2004-203634
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】本発明は、半導体融液の温度制御と半導体単結晶体の品位の向上、および製造制御と装置の簡略化を目的とするものである。【解決手段】容器内多結晶半導体原料を加熱融解し、その融液の液面に種単結晶体を浸漬して該種単結晶に融液を再凝固随伴させて上方に引き上げながら単結晶体を成長させる単結晶製造において、結晶原料を入れた容器の外側に沿って所定間隔を置いて加熱部を配置した第1加熱手段と、前記容器の周壁に加熱部を配置した第2加熱手段を設け、第1加熱手段または第1・第2加熱手段により容器内多結晶原料を加熱融解し、この後第1加熱手段の目標温度を半導体材料の融点またはその近傍温度に設定してフィードバック制御し、これと並行して第2加熱手段の目標温度を原料融液の単結晶成長温度にしてフィードバック制御しながら、容器内の半導体融液の液面に種単結晶を浸漬し上方に引上げることを特徴とする単結晶製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
多結晶半導体原料を容器内に収容しこれを加熱融解し、その融液の液面に種単結晶体を浸漬して該種単結晶に融液を再凝固随伴させて単結晶体を成長させながら上方に引上げ所望の単結晶成長体を得る単結晶製造において、多結晶原料を入れた容器の外側に沿って所定間隔を置いて加熱部を配置した第1加熱手段と、前記容器の周壁に加熱部を配置した第2加熱手段を設け、第1加熱手段または第1・第2加熱手段により容器内多結晶原料を加熱融解し、この後第1加熱手段の目標温度を半導体材料の融点またはその近傍温度に設定してフィードバック制御し、これと並行して第2加熱手段の目標温度を原料融液の単結晶成長温度にしてフィードバック制御しながら、容器内の半導体融液の液面に種単結晶を浸漬し上方に引上げることを特徴とする単結晶製造方法。
IPC (3件)：
C30B15/20
, C30B15/14
, C30B29/06
C30B15/20
, C30B15/14
, C30B29/06 502E
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG18
, 4G077EH07
, 4G077PE07
