特許

J-GLOBAL ID：200903021411644629

半導体装置

発明者： 小 野 瑞 城
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-378682
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180362
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】可及的に簡略な構成で、かつ高集積度、高性能の半導体装置を得ることを可能にする。【解決手段】半導体基板1上に板状に設けられた第1導電型の第1半導体領域3と、第1半導体領域の第1側面に設けられた第1強誘電体絶縁膜4と、第1強誘電体絶縁膜の第1半導体領域と反対側の面に設けられた第1ゲート電極6と、第1半導体領域の第2側面に設けられた第2強誘電体絶縁膜5と、第2強誘電体絶縁膜の第1半導体領域と反対側の面に設けられた第2ゲート電極7と、第1及び第2ゲート電極に挟まれるように第1半導体領域に形成されるチャネル領域と、チャネル領域の両側の第1半導体領域に設けられた第2導電型の第1ソース・ドレイン領域8と、を備え、第1半導体領域の厚さが第1半導体領域の不純物濃度で決まる空乏層の最大厚さの二倍よりも薄い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に板状に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の第1側面に設けられた第1強誘電体絶縁膜と、前記第1強誘電体絶縁膜の前記第1半導体領域と反対側の面に設けられた第1ゲート電極と、前記第1半導体領域の第2側面に設けられた第2強誘電体絶縁膜と、前記第2強誘電体絶縁膜の前記第1半導体領域と反対側の面に設けられた第2ゲート電極と、前記第1及び第2ゲート電極に挟まれるように前記第1半導体領域に形成されるチャネル領域と、前記チャネル領域の両側の前記第1半導体領域に設けられた第2導電型の第1ソース・ドレイン領域と、を備え、 前記第1半導体領域の厚さが前記第1半導体領域の不純物濃度で決まる空乏層の最大厚さの二倍よりも薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08

FI (10件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301H ,  H01L21/82 A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 331E

Fターム (135件)：

4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD66 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF04 ,  4M104GG09 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048CB06 ,  5F048CB08 ,  5F064AA07 ,  5F064BB03 ,  5F064BB04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064CC06 ,  5F064CC22 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG41 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK32 ,  5F110HM15 ,  5F110HM20 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140AB10 ,  5F140AC31 ,  5F140AC33 ,  5F140AC36 ,  5F140BB05 ,  5F140BC05 ,  5F140BC06 ,  5F140BC08 ,  5F140BC15 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BF45 ,  5F140BF47 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG41 ,  5F140BG45 ,  5F140BH05 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK15 ,  5F140BK21 ,  5F140BK27 ,  5F140CA03 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• リコンフィギュラブルLSIおよびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-361681   出願人：松下電器産業株式会社