特許
J-GLOBAL ID：200903021411881922
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160142
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 シリコン又は炭化珪素のSiGe混晶上への堆積方法に関し,混晶表面へのGeの偏析を防止して,急峻なヘテロ接合の形成を目的とする。【構成】 SiGe混晶の単結晶6表面にシリコン又は炭化珪素を堆積する工程を有する半導体装置の製造方法であって,SiGe混晶の単結晶6表面にアンチモン及びガリウムのうち何れか一種の原子を付着する工程と,次いで,原子が付着したSiGe混晶単結晶6表面にシリコン又は炭化珪素を堆積する工程とを有することを特徴として構成し,及び,この方法を用いて,SiGe混晶単結晶6からなるベース領域上に,シリコン又は炭化珪素を堆積してエミッタ領域8を形成してヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造することを特徴として構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン及びゲルマニウムを主成分とする混晶(SiGe混晶)の単結晶(6)表面にシリコン及び炭化珪素のうち何れか一つを堆積する工程を有する半導体装置の製造方法であって,該SiGe混晶の単結晶(6)表面にアンチモン及びガリウムのうち何れか一種の原子を付着する工程と,次いで,該原子が付着した該SiGe混晶の単結晶(6)表面にシリコン及び炭化珪素のうち何れか一つを堆積する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
