特許

J-GLOBAL ID：200903021413836533

マルチドープFZ単結晶棒製造方法

発明者： 渡辺 政孝 ,  町田 栄一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113092
公開番号（公開出願番号）：特開平5-286792
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：

【要約】【目的】 ドープガス供給量の切り換えに際して発生する損失を最小にしかつその操作を容易にする。【構成】 1本のFZ単結晶棒製造の途中でドープガスの濃度を変更することにより複数の抵抗品種を1本の単結晶棒中に形成するマルチドープFZ単結晶棒製造方法において、ドープガス濃度を変更前濃度C1から変更後濃度C3に切り換えるに際し、変更後ドープガス濃度C3よりも高い過剰濃度C2のドープガス供給を下記関係式(1)に従って所定時間行い、その後、変更後ドープガス濃度C3に切り換えるようにする。f・t=4.5〜6.0・・・・・・・・・・・(1)〔上記各式において、fは過剰率で、(C2-C3)/(C3-C1)で表され、tは過剰濃度C2の供給時間で、t=0.5〜6.0分である。〕

請求項（抜粋）：

1本のFZ単結晶棒製造の途中でドープガスの濃度を変更することにより複数の抵抗品種を1本の単結晶棒中に形成するマルチドープFZ単結晶棒製造方法において、ドープガス濃度を変更前濃度C1から変更後濃度C3に切り換えるに際し、変更後ドープガス濃度C3よりも高い過剰濃度C2のドープガス供給を下記関係式(1)に従って所定時間行い、その後、変更後ドープガス濃度C3に切り換えることを特徴とするマルチドープFZ単結晶棒製造方法。f・t=4.5〜6.0・・・・・・・・・(1)〔上記各式において、fは過剰率で、(C2-C3)/(C3-C1)で表され、tは過剰濃度C2の供給時間で、t=0.5〜6.0分である。〕

IPC (2件)：

C30B 13/12 ,  C30B 13/28