特許
J-GLOBAL ID：200903021413854558
薄膜トランジスタ、その製造方法及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082976
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 特性が優れ、歩留まりが高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供し、大型画面でも特性が優れかつ均一な、フリッカや焼き付きの少ない液晶表示装置を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタは、透明絶縁性基板101上に遮光性高抵抗層103を成膜しパターニングする工程と、この遮光性高抵抗層の上側に導体層を成膜しゲート電極104にパターニングする工程と、このゲート電極の上側にゲート絶縁層105、半導体層106を順次成膜しこれら各層をパターニングする工程と、半導体層の上側からコンタクト層107、導体層を順次形成する工程と、半導体層より上側のコンタクト層及び導体層を除去し、ソース電極108及びドレイン電極109を形成する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上に形成された遮光性高抵抗層と、前記遮光性高抵抗膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上側から形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層上の所定領域に形成された複数のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 626 C
, G02F 1/136 500
