特許

J-GLOBAL ID：200903021417313721

金属配線形成方法および金属配線形成装置

発明者： 杉岡 幸次 ,  緑川 克美
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013634
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209817
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】簡単な工程で、かつ、少ない工程数により絶縁体の表面に高解像度に金属の配線を形成する。【解決手段】絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法であって、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、上記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の無電解メッキ液に浸された表面に照射して集光し、上記レーザー光を照射された上記絶縁体の表面の照射領域に金属を析出させることにより金属膜を堆積して金属配線を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、 レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはパルス幅がフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明な絶縁体の無電解メッキ液に浸された表面に照射して集光し、 前記レーザー光を照射された前記絶縁体の表面の照射領域に金属を析出させることにより金属膜を堆積して金属配線を形成する ことを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (4件)：

H05K3/18 ,  C23C18/14 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

H05K3/18 C ,  C23C18/14 ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 B

Fターム (25件)：

4K022AA03 ,  4K022AA11 ,  4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4K022DA08 ,  4M104BB04 ,  4M104DD48 ,  4M104DD53 ,  5E343AA27 ,  5E343DD34 ,  5E343EE32 ,  5E343EE37 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033PP28 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033XX33