特許

J-GLOBAL ID：200903021418624690

極紫外線リソグラフィー用基板の製造方法

発明者： アーディナ,ケネス イー ,  ルッソ,ニッキ ジェイ ,  ウォシルースキー,マイケル エイチ
出願人/特許権者： コーニング インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-585342
公開番号（公開出願番号）：特表2004-532176
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

シリカ前駆体(28)をバーナ(16)に供給し、シリカ前駆体(28)をバーナ(16)の火炎(36)に通過させてシリカ粒子(38)を形成し、シリカ粒子(38)をプレーナ面(14)上に堆積させて平坦な多孔質EUVリソグラフィー用大寸法プリフォーム(40)を形成し、平坦な多孔質EUVリソグラフィー用大寸法プリフォーム(40)を平坦な緻密なEUVリソグラフィー用大寸法均質ガラス体に固結させる各工程を有してなる、EUVリソグラフィー用大寸法均質ガラス体を製造する方法が開示されている。

請求項（抜粋）：

EUVリソグラフィー用ガラス基板を製造する方法であって、 シリカ前駆体をバーナに供給し、該シリカ前駆体を該バーナの火炎に通過させてシリカ粒子を形成し、 前記シリカ粒子をプレーナ面上に堆積させて平坦な多孔質EUVリソグラフィー用ガラス基板プリフォームを形成し、 前記多孔質プリフォームを脱水し、 前記多孔質プリフォームを平坦で緻密な均質EUVリソグラフィー用ガラス基板に固結させる、 各工程を有してなることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C03B8/04 ,  G02B1/00 ,  H01L21/027

FI (5件)：

C03B8/04 P ,  C03B8/04 M ,  C03B8/04 R ,  G02B1/00 ,  H01L21/30 531A

Fターム (5件)：

4G014AH15 ,  4G014AH21 ,  5F046GB01 ,  5F046GB04 ,  5F046GB09