特許

J-GLOBAL ID：200903021431562580

成膜方法

発明者： 原岡 務 ,  牛川 治憲
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329891
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153695
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの界面における自然酸化膜を低減して例えば層間のコンタクト抵抗を小さくしたり、あるいはゲート酸化膜やキャパシタ絶縁膜の耐圧を向上すること。【構成】 半導体ウエハWをウエハボート22に多数枚搭載して反応管2内に搬入した後、成膜温度まで反応管2内を昇温し、この昇温過程において、不活性ガスで例えば0.4%程度に希釈されたHFガスを供給し、ウエハの表面処理を行い、しかる後にポリシリコン膜や窒化膜、酸化膜などの成膜を行うか、あるいはエピタキシャル成長を行う。この方法によれば、HFがウエハ表面上の水分と反応して活性化し、ウエハ表面の自然酸化膜が除去される。

請求項（抜粋）：

複数の被処理体を保持具に搭載して反応管内に搬入し、反応管内を加熱雰囲気にして被処理体の表面に成膜する方法において、被処理体を反応管内に搬入した後反応管内に、不活性ガスで希釈されたフッ化水素酸ガスを供給して被処理体の表面を清浄化処理し、その後被処理体の表面に成膜することを特徴とする成膜方法。