特許

J-GLOBAL ID：200903021432596632

増幅回路およびこれを用いた無線装置

発明者： 扇原 孝浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102877
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 携帯電話の場合、電源はバッテリーであることから、通話や待ち受け時間を確保するためには出来るだけ低消費電流であることが要求される。【解決手段】 高周波信号増幅用FETQaのソース端子と接地間に、互いに並列に接続された抵抗素子Rs1と容量素子Csを接続するとともに、電源(VDD)と接地間に直列に接続された抵抗素子R1,R2の分割点Pから増幅用FETQaのゲート端子にバイアス電圧を与える構成の化合物半導体FET高周波増幅回路において、バイアス電流遮断用FETQsおよび抵抗素子Rs2を互いに直列に接続するとともに、これらを抵抗素子Rs1に対して並列に接続し、さらに抵抗素子R2に対してゲートバイアス切り替え用FETQgを並列に接続し、増幅用FETQaのドレインバイアス電流の切り替えに連動して増幅用FETQaのゲートバイアス電圧の切り替えも同時に行うようにする。

請求項（抜粋）：

ゲート端子に高周波信号が入力される電界効果型トランジスタと、互いに並列に接続された第1の抵抗素子および容量素子を有し、前記電界効果型トランジスタのソース端子と接地間に接続された第1のバイアス回路と、電源と接地間に直列に接続された第2,第3の抵抗素子を有し、これら抵抗素子の分割点から前記電界効果型トランジスタのゲート端子にバイアス電圧を与える第2のバイアス回路とを備えた増幅回路であって、互いに直列に接続されかつ前記第1の抵抗素子に対して並列に接続された第1のスイッチ素子および抵抗素子と、前記第2,第3の抵抗素子のうちの接地側抵抗素子に対して並列に接続され、前記第1のスイッチ素子に連動して切り替え動作を行う第2のスイッチ素子とを有することを特徴とする増幅回路。

IPC (4件)：

H03F 3/193 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/32 ,  H04B 1/18

FI (4件)：

H03F 3/193 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/32 ,  H04B 1/18 C

Fターム (45件)：

5J090AA01 ,  5J090CA21 ,  5J090CA36 ,  5J090FA10 ,  5J090FA18 ,  5J090GN01 ,  5J090HA09 ,  5J090HA25 ,  5J090HA29 ,  5J090HA33 ,  5J090HA39 ,  5J090KA12 ,  5J090KA29 ,  5J090KA32 ,  5J090KA41 ,  5J090MA17 ,  5J090SA13 ,  5J090TA01 ,  5J090TA02 ,  5J092AA01 ,  5J092CA21 ,  5J092CA36 ,  5J092FA10 ,  5J092FA18 ,  5J092GR09 ,  5J092HA09 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092HA39 ,  5J092KA12 ,  5J092KA29 ,  5J092KA32 ,  5J092KA41 ,  5J092MA17 ,  5J092SA13 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092VL01 ,  5K062AA00 ,  5K062AB14 ,  5K062AD04 ,  5K062BA02 ,  5K062BB01 ,  5K062BB16