特許

J-GLOBAL ID：200903021434793621

無鉛Snベースめっき膜及びその製造方法、並びに接続部品の接点構造

発明者： 羽生 和隆 ,  野口 勉 ,  気賀 智也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-059568
公開番号（公開出願番号）：特開2006-307328
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】Pbフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Snベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Snベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Iとなっている無鉛Snベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が0.5μm以下のめっき層Aを複数含み、全膜厚が1〜10μmである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面となっている無鉛Snベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が0.5μm以下のめっき層Aを複数含み、全膜厚が1〜10μmであることを特徴とする無鉛Snベースめっき膜。

IPC (3件)：

C25D 5/18 ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/00

FI (3件)：

C25D5/18 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 H

Fターム (13件)：

4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA21 ,  4K024AB04 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CA16 ,  4K024CB21 ,  4K024GA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 鉛フリー錫合金めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-375604   出願人：NECセミコンダクターズ九州株式会社

審査官引用 (1件)

• 錫-銀合金めっき皮膜の製造方法とその製造方法により作製された錫-銀合金めっき皮膜及びそのめっき皮膜を有する電子部品用リードフレーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-326292   出願人：松下電器産業株式会社