特許
J-GLOBAL ID：200903021435661141
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326407
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 優れた変換効率を有する半導体レーザに関し、高い特性温度を実現することのできる1μm帯半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 1.3μm帯または1.55μm帯の発光を行なうIII-V族化合物半導体レーザであって、発光を行なう活性層と、活性層を挟み、活性層より大きなバンドギャップを有するガイド層と、ガイド層の両側を挟み、ガイド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層とを含むレーザ構造を有し、GaAsの格子定数をa1、InPの格子定数をa2とした時、ガイド層とクラッド層の格子定数がa1よりも0.5%以上大きく、a2よりも0.5%以上小さい。
請求項（抜粋）：
1.3μm帯または1.55μm帯の発光を行なうIII-V族化合物半導体レーザであって、発光を行なう活性層(5)と、活性層を挟み、活性層より大きなバンドギャップを有するガイド層(6)と、ガイド層(6)の両側を挟み、ガイド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層(7)とを含むレーザ構造を有し、GaAsの格子定数をa1、InPの格子定数をa2とした時、ガイド層(6)とクラッド層(7)の格子定数がa1よりも0.5%以上大きく、a2よりも0.5%以上小さい半導体レーザ。
引用特許：
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