半導体量子箱構造の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183238
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】量子箱間の寸法の均一化と大きな量子サイズ効果が得られる半導体量子箱構造の製造方法を提供することを目的とする。【構成】AlGaAs第1層13はその側面として(110)面を出しながら成長する。その成長は、成長温度を780°C以上880°C以下の範囲とし、かつIII族原料の分圧を4×10-6atm以下とする成長条件で行う有機金属気相成長法により行われ、この条件により成長は自動的に停止する。この成長停止面上に側面に(110)面をもつ四面体形状のGaAsを量子箱10を形成したのち、この量子箱10をAlGaAs第2層14により覆う。

請求項（抜粋）：

(111)B化合物半導体基板上に堆積した絶縁膜の一部を除去して一辺が{110}方向の正三角形状の開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の開口部を通して前記半導体基板上に、III族原料を含み、かつ半導体としたときの側壁に(110)面をもつ複数の原料原子または原料化合物を、780°C以上880°C以下の範囲の成長温度で、かつIII族原料の分圧を4×10-6atm以下とする成長条件で有機金属気相成長法を行って導き、自動的に停止するまで成長させて第1層を形成する工程と、前記第1層の成長停止面上に、側壁に(110)面をもつ四面体構造(ファセット構造)を形成する工程と、前記ファセット側面および上面に、前記四面体構造を覆うように、(110)側面に成長を生じさせる成長条件で少なくとも2種以上の半導体を成長させて第2層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体量子箱構造の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 21/331 , H01L 29/73

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