特許
J-GLOBAL ID:200903021438145632
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-036439
公開番号(公開出願番号):特開2006-135363
出願日: 2006年02月14日
公開日(公表日): 2006年05月25日
要約:
【課題】配線と接続部との間の接触抵抗を低減し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。【解決手段】その表面に、配線を構成する銅の拡散等を防止するためのタングステン膜CM1が形成された第1層配線上の絶縁膜(24a、24b、24c、26b、26c)をエッチングすることによりコンタクトホールC2および配線溝HM2を形成する際、コンタクトホールC2底部のタングステン膜CM1を除去し、バリア膜PM2aを形成した後、コンタクトホールC2底部のバリア膜PM2aを除去し、銅膜(PM2b、PM2c)を形成した後、その表面を研磨することにより第2層配線M2およびその下層のプラグP2を形成する。また、タングステン膜CM1又はバリア膜PM2aの少なくとも一方を除去するか、それらを不連続な膜で構成する。その結果、第1層配線M1とプラグP2との間の接触抵抗を低減できる。【選択図】図17
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された第1絶縁膜と;
前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と;
前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜を選択的に除去して形成された配線溝と;
前記配線溝の側壁と底面に形成された第1バリアメタル層と、前記配線溝を埋め込むように前記第1バリアメタル層上に形成された第1導電体層と、前記第1導電体層の表面に形成されたキャップバリアメタル膜とを有する配線部と;
前記第2絶縁膜上に形成され、かつ、接続孔を有する第3絶縁膜と;
前記接続孔の側壁と底面のうち、少なくとも前記側壁に形成された第2バリアメタル層と、前記接続孔を埋め込むように前記第2バリアメタル層上に形成された第2導電体層とを有する接続部と;
を有する半導体装置において、
前記第2絶縁膜は、バリア絶縁膜としての機能を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/768
, H01L 23/522
FI (2件):
H01L21/90 A
, H01L21/90 J
Fターム (91件):
5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH14
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
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, 5F033KK04
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, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN05
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, 5F033NN07
, 5F033NN17
, 5F033PP06
, 5F033PP08
, 5F033PP15
, 5F033PP21
, 5F033PP27
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, 5F033RR11
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, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS01
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, 5F033SS04
, 5F033SS11
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033XX05
, 5F033XX06
, 5F033XX09
, 5F033XX24
, 5F033XX27
, 5F033XX28
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
米国特許第6147402号明細書
-
米国特許第6114243号明細書
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