特許

J-GLOBAL ID：200903021439797579

パワー半導体素子の過電流検出方法及び回路並びにこれを用いたインバータ装置

発明者： 宮崎 英樹 ,  渡辺 晃造 ,  恩田 謙一 ,  和田 雅行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-276761
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 電流センスを備えたパワー半導体素子のターンオン又はターンオフ時におけるセンス電流の跳上りによる過電流の誤検出を防止する。【構成】 パワー半導体素子1に組み込まれた電流センスに流れるセンス電流Isを設定値Irと比較し、パワー半導体素子1の過電流を検出する場合において、パワー半導体素子1のオン又はオフ指令信号に同期させて、スイッチM1を一定期間オンしてセンス電流の跳上り電流を過電流検出回路3に入力させないことにより、センス電流の跳上りによる過電流の誤検出を防止する。

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子に組み込まれた電流センスに流れるセンス電流を設定値と比較し、前記パワー半導体素子の過電流を検出する過電流検出方法において、前記パワー半導体素子のオン又はオフ指令信号に同期させて一定期間過電流検出を停止することを特徴とするパワー半導体素子の過電流検出方法。

IPC (2件)：

H02M 7/48 ,  H02M 1/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-079758
  
• 特開平2-266712
  
• 特開平4-079758
  
• 特開平2-266712