特許

J-GLOBAL ID：200903021440511565

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 永井 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199803
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 レーザ発振波長が0.9〜1.2μmの半導体レーザにおいて、導波路幅を広くしても、高次モードの発生を確実に抑制して単峰の基本横モードが安定かつ確実に得られる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 Al組成比xがp型AlGaAsクラッド層6のAl組成比より小さいAlGaAsに,Si濃度が1×1019cm-3以上となるようにSiをドーピングしたn型AlGaAs電流ブロック層8を備える構成とした。

請求項（抜粋）：

n型GaAs半導体基板上に、n型AlGaAsクラッド層と、波長が900nm以上の光を発振する活性層と、p型AlGaAsクラッド層と、電流狭窄構造を形成するn型AlGaAs電流ブロック層とを備え、上記n型AlGaAs電流ブロック層は、そのAl組成比xが上記p型AlGaAsクラッド層のAl組成比より小さいAlx Ga1-x Asに,Si濃度が1×1019cm-3以上となるようにSiをドーピングしたものであることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/133 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/10

FI (5件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/133 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/10 Z ,  H01S 3/094 S