新規のフォトレジスト用重合体及びこれを含むフォトレジスト組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-187807
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】新規のフォトレジスト重合体及びその重合体を利用したフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記化学式4に示されるフォトレジスト重合体及びこの重合体を含むフォトレジスト組成物【化1】前記式で、YはHであり、R1はH又はヒドロキシ保護基(hydroxy protecting group)であり、a:b:c=10-90mol%:5-45mol%:5-45mol%である。

請求項（抜粋）：

下記化学式4に示されるフォトレジスト重合体【化1】前記式で、YはHであり、R1はH又はヒドロキシ保護基(hydroxy protecting group)であり、a:b:c=10-90mol%:5-45mol%:5-45mol%である。

IPC (16件)：

C08F232/04 , C08F 8/00 , C08F222/02 , C08F222/06 , C08F222/14 , C08F222/20 , C08K 5/00 , C08K 5/41 , C08L 35/02 , C08L 45/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (16件)：

C08F232/04 , C08F 8/00 , C08F222/02 , C08F222/06 , C08F222/14 , C08F222/20 , C08K 5/00 , C08K 5/41 , C08L 35/02 , C08L 45/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

パタン形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-150928 出願人：株式会社日立製作所
遠紫外線露光用ネガ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-154643 出願人：富士写真フイルム株式会社
浸漬剤組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-515964 出願人：ザプロクターエンドギャンブルカンパニー

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