特許
J-GLOBAL ID:200903021449117088
銅接続用の障壁エンハンスメント工程
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-505996
公開番号(公開出願番号):特表2004-533123
出願日: 2002年06月14日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
本発明の超小形電子構造における電極形成層へ銅を導入するための金属パターン形成工程は、銅の電極形成層を電気化学的にデポジションする前に、銅合金またはCo-W-Pのような合金のエンハンスメント層を、障壁層の上へ、PVD、CVDまたは電気化学的デポジションを用いて形成する工程を含む。エンハンスメント層は、10Å〜100Åの厚さを有し、障壁層における不連続、割れ目、結晶粒界欠陥をコンフォーマルにカバーする。エンハンスメント層は、その上へ銅の電極形成層のような金属層を電気化学的デポジションによって付着可能な導電面を提供する。代替的に、銅の電極形成に先立って、シード層をエンハンスメント層の上にデポジションしてもよい。
請求項(抜粋):
1または複数の微小凹部構造が設けられた表面を有する超小形電子加工品への金属付加工程において、
(a)上記微小凹部構造の壁面を含む上記超小形電子加工品の表面に障壁層を形成する工程と、
(b)上記障壁層の上に、合金からなるエンハンスメント層を形成する工程と、
(c)上記エンハンスメント層の上に金属を電気めっきして、上記微小凹部構造を充填する工程と、
を含んでなることを特徴とする、超小形電子加工品への金属付加工程。
IPC (3件):
H01L21/288
, C25D7/12
, H01L21/3205
FI (3件):
H01L21/288 E
, C25D7/12
, H01L21/88 M
Fターム (46件):
4K024AA09
, 4K024BA11
, 4K024DA08
, 4K024DA10
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029AA29
, 4K029BA21
, 4K029BA24
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029EA01
, 4K029GA03
, 4K030BA01
, 4K030BA02
, 4K030BA05
, 4K030BA16
, 4K030BA21
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4M104BB04
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH15
, 5F033HH18
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033MM01
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033WW02
, 5F033XX28
引用特許:
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