特許

J-GLOBAL ID：200903021449532875

酸化膜の形成方法及びその酸化膜を用いた半導体装置

発明者： 東條 潤一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253876
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097790
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 従来のLOCOS法以上の厚い酸化膜を結晶欠陥等を増大することなく形成する酸化膜の形成方法、及びその酸化膜を用いることにより、浮遊容量を更に低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板11上に酸化膜と窒化膜とを被着し、酸化膜と窒化膜に開口を設け、開口より基板をエッチングすることによりストライプ状の深い溝を形成し、深い溝の側表面を酸化することにより、ストライプ状の基板部分を酸化して、溝の深さに相当する厚みの酸化膜18を形成する。本発明の半導体装置は、上述した厚い酸化膜18を少なくともボンディングパッド16の下面に備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化膜と窒化膜とを被着し、該酸化膜と窒化膜に開口を設け、該開口より前記基板をエッチングすることによりストライプ状の深い溝を形成し、該深い溝の側表面を酸化することにより、前記ストライプ状の基板部分を酸化して、前記溝の深さに相当する厚みの酸化膜を形成することを特徴とした酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/76 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子の分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-191435   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 特開昭59-096745