特許
J-GLOBAL ID：200903021451681756
多層配線半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091423
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】エッチング条件を変えないで多層配線構造の接触面積を十分に大きくする。【解決手段】互いに第1絶縁層間膜3で絶縁されている第1配線層2と第2配線層4とからなり、第2配線層4にその中心領域にパターニングにより開口4cが形成される。開口4cは、次の工程でマスクとして使用され、且つ、その開口4cをエッチングにより形成する必要がないので、エッチング条件の変更を要しない。更に、第2配線層4の表面側に第2絶縁層間膜5を形成し、第2絶縁層間膜5に第1コンタクト孔6を形成し、第1絶縁層間膜3に第2コンタクト孔7を形成し、第2コンタクト孔7は第2配線層4をマスクとして形成され、第1コンタクト孔6は開口4cを介して第2コンタクト孔7に連続している。第1コンタクト孔6の断面積は開口4cの断面積よりも大きい。エッチング条件の変更なしに十分に広い接触面積で全配線層が接続される。
請求項（抜粋）：
互いに第1絶縁層間膜で絶縁されている第1配線層と第2配線層とからなる多層配線半導体装置の製造方法において、前記第2配線層にその中心領域にパターニングにより開口を形成するステップからなることを特徴とする多層配線半導体装置の製造方法。
Fターム (12件)：
5F033AA04
, 5F033AA13
, 5F033AA28
, 5F033AA29
, 5F033AA64
, 5F033AA66
, 5F033CA07
, 5F033DA22
, 5F033DA27
, 5F033DA28
, 5F033EA32
, 5F033FA05
