特許

J-GLOBAL ID：200903021456302320

横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子

発明者： 舟幡 一行 ,  近藤 克己 ,  横倉 久男 ,  阿部 英俊 ,  内海 夕香 ,  小林 節郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-117336
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304781
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】液晶厚みを規定するスペーサ材の粒径よりも薄い液晶厚みを有する液晶表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】画素電極13,対向電極14,ソース電極15,ゲート絶縁膜16,保護膜17,配向制御膜18を備えた基板10と、遮光膜21,カラーフィルタ22,配向制御膜23を備えた基板20を配向制御膜18,23同士が対峙するように配置するとともに、対向電極14上のゲート絶縁膜16の一部を除去した部分とカラーフィルタ22より低く形成した遮光膜21部間にスペーサ材19を配置することにより、スペーサ材19の粒径よりも薄い液晶厚み24を高精度に制御された均一な液晶厚みを有する液晶表示素子。

請求項（抜粋）：

基板に積層した薄膜トランジスタを有する複数の電極上に配向制御膜を備える一方電極基板と、他方の基板に積層した遮光膜及びカラーフィルタ上に他方の配向制御膜を備える他方の基板とが、前記両基板間の間隙を規定するためのスペーサ材を介して対峙し、前記間隙に液晶が充填され、前記各電極から前記両基板面に対し平行方向に電界が印加される横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子において、前記両基板間の間隙を規定するための前記スペーサ材の粒径よりも、前記液晶の厚みが薄い横電界構造のアクティブマトリクス型液晶表示素子。

IPC (2件)：

G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/136 500