特許
J-GLOBAL ID:200903021457538661

偏波素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-072162
公開番号(公開出願番号):特開2002-267837
出願日: 2001年03月14日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】【課題】 機械的な強度が高くて信頼性の高い偏波素子を提供する。製造工程が単純で製造コストの低減が可能な偏波素子の製造方法を提供する。【解決手段】 入射した電磁波中のTM波成分を選択的に透過させる偏波素子において、略平行な表面と裏面とを含む固体媒体と、該表面上に、所定の水平ピッチで略平行に形成された、複数の略直線状の溝部とを含み、複数の該溝部が略同一形状の垂直断面を有し、該溝部の溝幅を該溝部の深さ方向に所定の垂直ピッチで繰り返し変化させる。
請求項(抜粋):
入射した電磁波中の直交する2つの偏波成分の片方を選択的に透過させる偏波素子であって、略平行な表面と裏面とを含み電磁波が透過可能な固体媒体と、該表面上に、所定の水平ピッチで略平行に形成された、複数の略直線状の溝部とを含み、複数の該溝部が略同一形状の垂直断面を有し、該溝部の溝幅を該溝部の深さ方向に所定の垂直ピッチで繰り返し変化させたことを特徴とする偏波素子。
Fターム (3件):
2H049BA05 ,  2H049BA45 ,  2H049BC25

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