特許
J-GLOBAL ID：200903021458409776
炭酸ガス検知素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317960
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153564
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 炭酸ガス検知材である多孔質セラミックと電極との付着性を向上し、数百°Cの動作温度で剥離を生じず、経時的な性能低下を抑制することが出来るとともに、素子ごとの特性のばらつきの少ない炭酸ガス検知素子の提供を目的とする。【解決手段】 電極52を被着する炭酸ガス検知多孔質セラミック1の表面の面粗度Rmax及び/又は凹凸段差の隣接の最小ピッチが電極52を構成している粒子径以上に、且つ凹凸段差の隣接の最大ピッチが電極52の膜厚以下に、形成されている構成を有している。
請求項（抜粋）：
炭酸ガス検知材である多孔質セラミックと、前記多孔質セラミックの表面または内部に設けられている1つ以上の電極と、前記電極の表面または内部に接続されたリード線と、前記電極と前記リード線を接続固定するリード線固定材料と、前記多孔質セラミックを動作温度に加熱できるヒータと、前記多孔質セラミックと前記ヒータを配置できる基板と、前記基板上に配置された通電用の配線と、を備えた炭酸ガス検知素子であって、前記電極を被着する前記多孔質セラミックの表面の面粗度Rmax及び/又は凹凸段差の隣接の最小ピッチが前記電極を構成している粒子径以上に、且つ凹凸段差の隣接の最大ピッチが前記電極の膜厚以下に、形成されていることを特徴とする炭酸ガス検知素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 27/12 B
, G01N 27/22 A
