半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306859
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】レーザ結晶化法を改良して大面積の基板上に単結晶に近い結晶性を持つ半導体薄膜をスループットよく形成する。【解決手段】まず、準備工程を行ない、基板0の表面を例えば桝目状に領域分割して複数の分割領域Dを規定する一方、レーザ光50を整形して矩形の分割領域Dを一括して照射できる様にレーザ光50の照射領域Rを矩形に調整する。次の結晶化工程では、照射領域Rに周期的な明暗のパタンを投影可能な様にレーザ光50の強度を光学変調して、基板0の左上にある最初の分割領域Dを照射し、更に少なくとも一回該明暗のパタンが重複しない様に照射領域Rをずらして同一の分割領域Dを再度照射する。この後、レーザ光50の照射領域Rを右隣にある次の分割領域Dに移して該結晶化工程を繰り返す。結晶化工程では、明暗のパタンに応じた温度勾配を利用して結晶化の方向を制御すると共に、一回の照射で結晶化する範囲以内で照射領域Rを少しづつずらして繰り返し照射を行なう。

請求項（抜粋）：

予め基板に成膜された半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する半導体薄膜の結晶化方法であって、基板の表面を領域分割して複数の分割領域を規定する一方、レーザ光を整形して一の分割領域を一括して照射できる様にレーザ光の照射領域を調整する準備工程と、該照射領域に周期的な明暗のパタンを投影可能な様にレーザ光の強度を光学変調して一の分割領域を照射し、更に少なくとも一回該明暗のパタンが重複しない様に照射領域をずらして同一の分割領域を再度照射する結晶化工程と、レーザ光の照射領域を次の分割領域に移して該結晶化工程を繰り返す走査工程とを行なう事を特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01J 37/30 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 F , H01L 21/268 J , H01J 37/30 Z , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (78件)：

5C034AA02 , 5C034AA07 , 5C034AB02 , 5C034AB04 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA12 , 5F052BA18 , 5F052BA20 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN14 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (3件)

表示用半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-257616 出願人：ソニー株式会社
レーザーアニール法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-256432 出願人：株式会社日立製作所
半導体処理方法及び半導体処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-322709 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る