イオンビームスパッタ装置およびイオンビームスパッタ方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352882
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161365
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】【課題】成膜された膜厚の均一性をより向上させることができるイオンビームスパッタ装置の提供。【解決手段】イオン源2に設けられたグリッドG1,G2に印加されるグリッド電圧V1,V2をオン・オフすることにより、ターゲット11aに照射されるイオンビーム12のオン・オフを制御する。ターゲット11aにイオンビーム12が照射されると、ターゲット11aからスパッタ粒子13が叩き出されて基板S上に堆積する。その結果、基板S上には均一な膜厚を有する薄膜が成膜される。グリッド電圧V1,V2をオン・オフにより成膜のオン・オフを制御しているので、基板Sの成膜領域全体が同時に成膜開始されるとともに、同時に成膜が停止される。その結果、膜厚の均一な薄膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

イオン源と、前記イオン源からイオンビームを引き出すグリッドとを備え、前記イオン源から引き出されたイオンビームをターゲットに照射し、前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子を基板上に堆積させて成膜するイオンビームスパッタ装置において、前記基板への成膜の開始および停止を行わせるように前記グリッドのグリッド電圧を制御する制御手段を備えたことを特徴とするイオンビームスパッタ装置。

Fターム (3件)：

4K029CA05 , 4K029DC37 , 4K029EA09

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