特許
J-GLOBAL ID：200903021463050506
アモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トラ ンジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181470
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037825
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 高歩留りで薄膜トランジスタアレイを製造できるようになるアモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 ガス分解用高周波電源の出力を500Hz以上の繰り返し周波数でオンオフし、かつ、該高周波電源の出力のオン期間が該繰り返しの周期の30%以下であるような条件で、シラン系のガスを分解することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜方法、及び、そのアモルファスシリコン膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を用いる。
請求項（抜粋）：
ガス分解用高周波電源の出力を500Hz以上の繰り返し周波数でオンオフし、かつ、該高周波電源の出力のオン期間が該繰り返しの周期の30%以下であるような条件で、シラン系のガスを分解することにより成膜することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
