特許

J-GLOBAL ID：200903021465042144

ビルドアップ多層配線基板及びその製造方法

発明者： 鈴木 明 ,  菅生 雅臣 ,  森田 和孝
出願人/特許権者： 日本シイエムケイ株式会社
代理人 (1件)： 有賀 三幸 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377128
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179351
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 ビルドアップ表層の銅の厚みが薄く、微細な回路形成が可能なビルドアップ多層配線基板の提供。【解決手段】 レーザーによる層間ビアの孔あけにより、ビア開口部に形成された導体層の傘状突出が残存していると共に、当該ビアに導電性ペーストが充填され、かつ当該導体層にめっき層が存在しないビルドアップ多層配線基板;レーザーにより層間ビアを形成すると共に、ビア開口部に導体層の傘状突出部を形成する工程と、当該ビアに導電性ペーストを充填する工程とを有するビルドアップ多層配線基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

導体層と絶縁層が交互に積層されたビルドアップ多層配線基板であって、レーザーによる層間ビアの孔あけにより、当該ビアの開口部に形成された導体層の傘状突出部が残存していると共に、当該ビアに導電性ペーストが充填され、かつ当該導体層にめっき層が存在しないことを特徴とするビルドアップ多層配線基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/40

FI (8件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 X ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/00 J ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/40 K

Fターム (28件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD31 ,  5E317CD32 ,  5E317GG14 ,  5E346AA01 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH24