特許
J-GLOBAL ID：200903021470490562
半導体集積回路の入力バッファ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-237103
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】一つのチップで、幅広い入力基準電圧の仕様に対応できるMOS差動アンプ型入力回路を提供する。【構成】トランジスタMP3,MP4からなる差動対と、定電流源用のMOSトランジスタMP1と、負荷回路とを含むMOS差動増幅器型入力バッファ回路に対し、定電流源用MOSトランジスタMP1に更に第2の定電流源用MOSトランジスタMP2を並列接続する。MOSトランジスタMP2のゲート電圧を、入力基準電圧Vref を入力とする電圧変換回路10で制御する。基準電圧Vref が高くなると、トランジスタMP2のゲート電圧が高くなり導通抵抗が低下し、差動対トランジスタのソース電位が高い方(基準電圧の変化と同一の方向)に変化するので、ゲート・ソース間電圧が基準電圧に応じて変化し動作点と基準電圧との一致が保たれる。
請求項（抜粋）：
外部から与えられる基準電圧と外部から与えられる入力信号とをそれぞれのゲート入力とする2つのMOSトランジスタのソース電極を共通接続した差動対と、前記差動対に定電流を供給する第1の定電流源用MOSトランジスタからなる定電流源と、前記差動対の負荷回路とを含む半導体集積回路の入力バッファ回路において、前記第1の定電流源用MOSトランジスタに並列接続された第2の定電流源用MOSトランジスタと、前記基準電圧の変化に応じて前記第2の定電流源用MOSトランジスタのゲート電位を変化させそのMOSトランジスタの導通抵抗を変化させることにより、前記差動対トランジスタのソース電位を、前記基準電圧の変化と同一の方向に変化させる基準電圧変換手段とを設けたことを特徴とする、半導体集積回路の入力バッファ回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 19/00 101 K
, H03F 3/45 A
