特許
J-GLOBAL ID:200903021479031390

半導体装置、電子モジュール及び電子機器、並びに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-027667
公開番号(公開出願番号):特開2000-228417
出願日: 1999年02月04日
公開日(公表日): 2000年08月15日
要約:
【要約】【課題】 信頼性が高く小型の半導体装置、電子モジュール及び電子機器、並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ1の外部端子11上に複数のバンプ2,4が重ねて形成され、このバンプ2,4の周辺を覆うように半導体チップ1の表面に複数の樹脂層3,5が積層され、各樹脂層3及び5のうち少なくとも2層が少なくとも1個のバンプ2及び4を含んでなる半導体装置10を構成する。また、マザーボード上にこの半導体装置10を接合材料を介して接続した電子モジュール40や電子素子51を構成する。また、この電子素子51を搭載した電子機器50を構成する。また、半導体チップ1の外部端子11上に、電気的に導通をとるように少なくとも1つ以上のバンプ2を接合させる工程と、バンプ2周辺に第1の樹脂層3を塗布した後に硬化させる工程と、第1の樹脂層3のバンプ2上に、少なくとも1つ以上のバンプ4を接合させる工程と、バンプ4周辺に第2の樹脂層5を塗布した後に硬化させる工程とを有して半導体装置10を製造する。
請求項(抜粋):
半導体チップの外部端子上に複数のバンプが重ねて形成され、上記バンプの周辺を覆うように、上記半導体チップの表面に複数の樹脂層が積層され、上記複数の樹脂層のうち少なくとも2層がそれぞれ少なくとも1個の上記バンプを含んでなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (6件):
H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 23/30 B
Fターム (24件):
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA05 ,  4M109CA10 ,  4M109CA12 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EC04 ,  4M109ED02 ,  4M109EE02 ,  5F044KK01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05 ,  5F061CA10 ,  5F061CA12 ,  5F061CA26 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13

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