特許
J-GLOBAL ID:200903021487995609

光導波路及び光導波路デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-066281
公開番号(公開出願番号):特開2000-266949
出願日: 1999年03月12日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 急峻で優れた波長特性の光導波路を提供する。【解決手段】 Si基板1とクラッド部2をなすSiO2との間に反射抑制部10を設け、Si基板1からの反射紫外線を反射抑制部10減衰させながら、紫外線で光導波領域3を照射し所望のグレーティングを形成して、光導波路30の波長特性を向上させた。
請求項(抜粋):
Si基板上にSiO2からなるクラッド部に覆われた光導波領域が形成され、上記光導波領域の一部に位相マスクを介して紫外線で照射して形成されたグレーティングを備えている光導波路であって、上記照射された紫外線の上記Si基板からの反射を低減させる反射抑制部が、上記Si基板と上記クラッド部をなすSiO2との間に設けられていることを特徴とする光導波路。
Fターム (6件):
2H047LA01 ,  2H047LA16 ,  2H047PA30 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047TA00

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