特許

J-GLOBAL ID：200903021490426879

積層ダイパッケージの製造方法

発明者： アミヌディン イスマイル ,  ウェイ ユー ロー ,  コン ビー チウ ,  チェン チェ ヨン
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-181014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036219
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】 単純な工程による積層ダイパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】 積層ダイパッケージ(50)を形成する方法は、第1の集積回路(IC)ダイ(52)をベースキャリア(56)に取り付けるとともに電気的に接続することを含む。接着材料(54)から成る複数の一連の層(54A、54B及び54C)が第1のダイ(52)上に形成される。第2のダイ(72)が接着材料(54)で第1のダイ(52)に取り付けられ、それによって、一連の接着材料層(54A、54B及び54C)は第1のダイ(52)と第2のダイ(72)との間に所定の間隔(H)を保持する。第2のダイ(72)はベースキャリア(56)に電気的に接続される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1の集積回路(IC)ダイをベースキャリアに取り付ける工程と、 前記第1のダイを前記ベースキャリアに電気接続する工程と、 前記第1のダイ上に、接着材料から成る複数の一連の層を形成する工程と、 前記一連の接着材料層が前記第1のダイと該第2のダイとの間に所定の間隔を保持するように、第2のダイを前記接着材料で前記第1のダイに取り付ける工程と、 前記第2のダイを前記ベースキャリアに電気的に接続する工程とを備える、積層ダイパッケージの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/08 Z