特許
J-GLOBAL ID：200903021496283824
ガリウム砒素単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-016493
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月25日
要約：
【要約】【目的】 酸素含有量が低く、高純度のガリウム砒素単結晶を得る。【構成】 ルツボ7および砒素容器16内にそれぞれガリウムGaおよび砒素Asをチャージし、密封容器1を開封した状態で、ポンプ4aを作動させて外側容器4内を真空排気するとともに、ヒーター10a,10bを作動させて密封容器1各部の温度を200〜600°Cまで昇温し、砒素容器16内および蒸気圧制御部11内における砒素酸化物と、ルツボ7内のガリウム原料表面の酸化ガリウムが密封容器1外に除去されるまで保持する。次いで、押し上げ軸17を上昇させ、密封容器1のシール5を押し付けて密封容器1を密封し、以後、従来と同様の方法で単結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
真空排気可能な外側容器と、この外側容器内に配置された開閉可能な密封容器と、この密封容器内に自らの軸線を中心として回転自在に配置されたルツボと、このルツボ内に収容された原料融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構と、前記密封容器と連通された蒸気圧制御部と、前記密封容器を取り巻いて前記密封容器を加熱する複数のヒーターとを具備する引き上げ装置を用い、前記ルツボ内に保持したガリウムと前記密封容器下部に配置した砒素原料を前記ヒーター加熱して前記ルツボ内にガリウム砒素の原料融液を合成した後、前記砒素原料の一部を前記蒸気圧制御部内に凝縮させることにより、前記密封容器の内部に満たされる砒素ガスの圧力を制御しつつガリウム砒素単結晶の引き上げを行うガリウム砒素単結晶の成長方法において、前記密封容器を開封した状態で前記外部容器内を排気しながら前記密封容器を200〜600°Cに保持した後、改めて前記密封容器を封止して前記原料融液の合成を行うことを特徴とするガリウム砒素単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 15/02
, C30B 29/40 501
, H01L 21/208
