特許

J-GLOBAL ID：200903021496326949

SiC成形体の製造方法

発明者： 杉原 孝臣 ,  塩谷 善弘
出願人/特許権者： 東海カーボン株式会社
代理人 (1件)： 高畑 正也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-171850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012315
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：

【要約】【目的】 100〜5000μm の肉厚範囲で、クラックや破損のない高品質のSiC成形体を製品収率よく製造する方法を提供する。【構成】 炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解してCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去してSiC成形体を得る方法において、炭素質基材として嵩密度 0.2〜0.8g/cc 、熱膨張係数(CTE) 2.0〜4.0 ×10-6/°C、曲げ強度20〜80kgf/cm2 の易崩壊性を備える多孔質炭素材料を用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解してCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去してSiC成形体を得る方法において、炭素質基材として嵩密度0.2〜0.8g/cc、熱膨張係数(CTE) 2.0〜4.0×10-6/°C、曲げ強度20〜80kgf/cm2 の易崩壊性を備える多孔質炭素材料を用いることを特徴とするSiC成形体の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/36 ,  C04B 41/87