特許

J-GLOBAL ID：200903021498164482

結晶成長方法

発明者： サンドウー アダルシユ
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071546
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090160
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 気相原料を用い、不純物を添加したエピタキシャル層を成長するガスソース分子線エピタキシャル結晶成長方法(GSMBE)に関し、制御性よく不純物をドープした結晶を成長することのできるガスソース分子線エピタキシャル結晶成長方法を提供することを目的とする。【構成】 真空雰囲気中に原料ガスの分子線を供給し、下地結晶上に化合物半導体のエピタキシャル成長を行なうガスソース分子線エピタキシャル結晶成長方法であって、不純物をドープしない化合物半導体からなる第1の層を下地結晶上に成長する工程と、該化合物半導体の少なくとも1つの成分の供給を断つことで化合物半導体の成長を停止すると共に該第1の層表面に不純物ガスを供給することにより、不純物をドープした第2の層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気中に原料ガスの分子線を供給し、下地結晶上に化合物半導体のエピタキシャル成長を行なうガスソース分子線エピタキシャル成長方法であって、不純物をドープしない前記化合物半導体からなる第1の層を下地結晶上に成長する工程と、該化合物半導体の少なくとも1つの成分の供給を断つことで化合物半導体の成長を停止すると共に、該第1の層表面に不純物ガスを供給することにより、不純物をドープした第2の層を形成する工程とを含むことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73