特許
J-GLOBAL ID:200903021500724920

レーザー照射による光学薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西山 恵三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-102126
公開番号(公開出願番号):特開2001-290001
出願日: 2000年04月04日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 薄膜の光学特性の経時変化を抑制し、低コストで良質の光学薄膜を作る。【解決手段】 光学薄膜の製造方法において、基材1の表面に光学薄膜2を形成する工程S2と、形成された光学薄膜2にレーザー3を照射する工程S3とを含む。
請求項(抜粋):
光学薄膜の製造方法において、基材の表面に光学薄膜を形成する工程、形成された前記光学薄膜にレーザーを照射する工程を含むことを特徴とする光学薄膜の製造方法。
IPC (3件):
G02B 1/10 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/027
FI (3件):
C23C 14/58 C ,  G02B 1/10 Z ,  H01L 21/30 515 D
Fターム (18件):
2K009AA09 ,  2K009BB04 ,  2K009CC06 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD05 ,  2K009EE00 ,  4K029BA42 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA01 ,  5F046BA04 ,  5F046CA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CB01

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