特許
J-GLOBAL ID:200903021500724920
レーザー照射による光学薄膜の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西山 恵三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-102126
公開番号(公開出願番号):特開2001-290001
出願日: 2000年04月04日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 薄膜の光学特性の経時変化を抑制し、低コストで良質の光学薄膜を作る。【解決手段】 光学薄膜の製造方法において、基材1の表面に光学薄膜2を形成する工程S2と、形成された光学薄膜2にレーザー3を照射する工程S3とを含む。
請求項(抜粋):
光学薄膜の製造方法において、基材の表面に光学薄膜を形成する工程、形成された前記光学薄膜にレーザーを照射する工程を含むことを特徴とする光学薄膜の製造方法。
IPC (3件):
G02B 1/10
, C23C 14/58
, H01L 21/027
FI (3件):
C23C 14/58 C
, G02B 1/10 Z
, H01L 21/30 515 D
Fターム (18件):
2K009AA09
, 2K009BB04
, 2K009CC06
, 2K009DD03
, 2K009DD04
, 2K009DD05
, 2K009EE00
, 4K029BA42
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD09
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029GA01
, 5F046BA04
, 5F046CA03
, 5F046CA04
, 5F046CB01
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