特許
J-GLOBAL ID：200903021500747970
表面状態の改善された多結晶シリコンロッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122144
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043317
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 表面細孔の減少した半導体グレードの高純度多結晶シリコンからなる多結晶シリコンロッドを提供すること。【解決手段】 高純度多結晶シリコンの円柱であって、半径方向に析出中心から周辺部に向かって長さの50%を超えた領域に、析出中心から長さ50%の位置の結晶の結晶粒径と異なる結晶粒径を持つ結晶が円柱の円周および長さ方向に存在する多結晶シリコンロッド。
請求項（抜粋）：
高純度多結晶シリコンの円柱であって、半径方向に析出中心から周辺部に向かって長さの50%を超えた領域に、析出中心から長さ50%の位置の結晶の結晶粒径よりも小さい結晶粒径を持つ結晶が同じ半径方向に存在する多結晶シリコンロッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/02 E
, C23C 16/24
